Работаем без перерыва. Товарооборот между странами не прекращён — грузы идут.

igbt infineon

Компания Infineon Technologies - это признанный мировой лидер в вопросах производства силовых полупроводников и микросхем для телекоммуникаций и вычислительной техники. Изначально она представляла собой подразделение концерна Siemens, специализирующемся на выпуске микросхем, но в 1999 году, в результате реструктуризации, была сформирована отдельная компания, сохранившая, вместе с тем, глубокие связи с немецким промышленным гигантом.  Два производителя до сих пор сотрудничают на всех уровнях, начиная от обмена технологиями и внедрения совместных стандартов контроля качества, и заканчивая единой маркетинговой и финансовой политикой.

Логотип компании Infineon Technologies

В 2015 году Infineon Technologies купила International Rectifier - американскую компанию, специализирующуюся на производстве силовой электроники. Благодаря этому немецкий производитель смог заметно усилить свои позиции в сфере производства транзисторов и других схожих товаров, получив доступ не только к наработкам по их производству, но и к производственным мощностям, расположенным в США, Мексике и Англии. 

Общая характеристика igbt модулей Infineon 

Ассортимент igbt модулей Infineon

Igbt-транзисторы  были изобретены специалистами International Rectifier в 1983 году. До их появления инженеры, создающие электронику, стояли перед выбором, что использовать: биполярные транзисторы, зависящие от температуры. обладающие склонностью сильно греться, требующие для активации сильного тока, и имеющие ограничения по минимальному рабочему напряжению, либо MOSFET-конструкции, управляемые напряжением и лишенные части недостатков биполярных аналогов, но обладающие меньшим быстродействием и частотными свойствами. 

IGBT-транзистор сочетает в себе плюсы обоих конструкций. В нем объединены силовой и полевой (MOSFET) модули, подключенные каскадным способом, причем первый формирует силовой канал, а второй - используется для управления. В результате появляется возможность управлять мощными нагрузками, используя управляющие сигналы малой мощности, что заметно снижает затраты, при этом транзистор имеет высокие показатели возможного рабочего напряжения, меньшее сопротивление открытого канала, может стабильно работать при высоких, до 100 градусов по Цельсию, температурах.

Igbt-транзисторы используют в:

  • частотно-регулируемых приводах;
  • инверторах;
  • импульсных регуляторах;
  • источниках питания сварочных аппаратов;
  • системах управления электрическими двигателями;
  • создании электротранспорта.

Помимо отдельных транзисторов, выпускает компания и комплексные модули, такие как Infineon Igbt BYM600A170DN2. Они используются для управления трехфазными цепями, и часто проектируются в одном корпусе с драйвером, что позволяет дополнительно снизить время открытия и управляющие затраты.

Infineon Igbt BYM600A170DN2

Преимущества  igbt модулей Infineon 

Немецкая компания предлагает огромный выбор БТИЗ-модулей, позволяющий подобрать решение для выполнение любой технологической задачи управления высокими нагрузками. Так, модуль infineon igbt ff450r12ke4 выполнен в форм-факторе полумоста, также в ассортименте бренда представлены полноценные трехфазные мосты. Продукция компании имеет ряд преимуществ.

К их числу относятся:

  1. Улучшенное охлаждение.
  2. Простой монтаж:
  3. повышенная надежность, обеспечиваемая высокой технологичностью процесса производства. 

Так, все элементы, восприимчивые к электростатическим зарядам, пакуют в специальной ESD зоне с надежной антистатической защитой. При этом специалисты бренда используют материалы, обладающие способностью рассеивать статику, и пакуются в специализированные мешки “shielding bags“.