Каталог категорий бренда TOSHIBA

Компания транснационального масштаба Toshiba, имеющая штаб-квартиру в Токио. Предприятие занимается производством решений для IT, инженерных коммуникаций и т.д. В инвестиционный портфель входят акции многочисленных известных технологических гигантов. Создана в 1938 году путем объединения Shibaura, Denki. За время своего существования предприятие выкупило множество брендов таких, как SEMP, Westinghouse, Landis. В 2012 году под крыло японского гиганта попал терминальный бизнес IBM.

Одним из приоритетных направлений является производство решений для обеспечения электрификации и инфраструктур промышленных предприятий. Занимается изготовлением систем хранения, производственных ИКТ-агрегатов. Благодаря покупке ряда энергетических компаний, стала крупнейшим поставщиком устройств для «зеленой» энергетики.

Транснациональный гигант занимается производством интегральных схем и IGBT-модулей TOSHIBA для различных сфер промышленности. IGBT-изделия широко представлены биполярными транзисторами, имеющими изолированный затвор. Модули – силовой прибор, выступающий в роли электронного ключа, который часто устанавливают в инверторах, системах управления электрическими производственными приводами.

IGBT-компонент сочетает в себе особенности полевого и биполярного транзисторов. Это поспособствовало возможности вариации нагрузки при малой мощности за счет перехода сигнала на затвор полевого транзистора.

IGBT-транзистор бывает как единичным, так и в составе модулей. Последний тип наиболее часто используется в высоковольтных системах, например, в частотных преобразователях или в сварочных аппаратах.

Применение IGBT TOSHIBA

Модули чаще всего задействуют в инверторных приборах, регулируемых приводах. Нередко используются для управления электрическим транспортом.

Специфика эксплуатации:

• В системах управления – на базе IGBT увеличивается номинальный КПД, обеспечивается плавный ход производственной машины. Используется для рекуперативного торможения;
• в высоковольтных системах – IGBT-модули обеспечивают стабильную работу при напряжении свыше 1 тыс. В и температурном режиме от 100 градусов. Выдерживают входную нагрузку, превышающую 5 кВт;
• в схемах, обеспечивающих глубокое управление мотором с частотой работы от 20 кГц;
• в источниках, обеспечивающих бесперебойное электроснабжение с постоянной нагрузкой и низкой частотой.

Если сравнивать IGBT и MOSFET, то каждый из типов имеет свою специфику применения. Первый задействуют в высоковольтных установках повышенной мощности, а второй – используют в низковольтных каскадах.

Преимущества михросхем TOSHIBA и IGBT-модулей

Такие устройства часто применяются при производстве стиральных и посудомоечных машин, можно встретить в швейных машинках и системах, обеспечивающих электронное зажигание транспортных средств. IGBT-модули устанавливают в кондиционерах, насосных агрегатах, серверное и телекоммуникационное оборудование.

IGBT-транзисторы:

• Имеют высокое входное сопротивление, незначительный уровень управляющей мощности – изолированы затвором;
• отличительны низким остаточном напряжением при включенной аппаратуре;
• имеют малые потери;
• имеют широкий диапазон применения – до 1,2 тыс. ампер, до 10 кВ напряжения.
• управление происходит за счет варьирования уровня напряжения.

Вышеупомянутые преимущества позволили использовать IGBT-модули, включая микросхемы для широкого количества приборов. Сюда стоит отнести инверторы, электрическое сварочное оборудование, регулируемые приводы, импульсные регуляторы тока.