Главная Каталог брендов EUPEC Комплектующие Микросхемы Тиристоры FS450R12KE3

Тиристоры EUPEC. Артикул FS450R12KE3

Продаем Тиристоры EUPEC - FS450R12KE3, c гарантией производителя. Доставляем по России и СНГ за 2-5 дней.

FS450R12KE3

Производитель EUPEC
Категория Тиристоры
Описание IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это полупроводниковые устройства, которые объединяют в себе преимущества полевых транзисторов (MOSFET) и биполярных транзисторов (BJT). Они широко используются в приложениях, требующих высокую мощность и эффективность, таких как преобразователи частоты, инверторы для солнечных панелей, силовая электроника и управления электродвигателями. Трехфазный модуль fs450r12ke3 имеет такие технические характеристики: 1. Производитель: Infineon. 2. Категория продукта: Модули IGBT. 3. RoHS: Соответствует. 4. Конфигурация: 6-Pack. 5. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 1.2 кВ. 6. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 В. 7. Непрерывный ток коллектора при 25°C: 600 А. 8. Ток утечки затвор-эмиттер: 400 нА. 9. Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 В. 10. Стиль монтажа: Монтаж на шасси. 11. Серия: Trenchstop IGBT3 - E3. 12. Технология: Si (Силикон). Модули IGBT от Infineon в конфигурации 6-Pack предназначены для использования в высокомощных приложениях, таких как трехфазные инверторы и преобразователи. Эти модули сочетают в себе высокую эффективность и надежность, что делает их идеальными для использования в промышленной автоматике и силовой электронике. Преимущества и особенности: 1. Высокая производительность: • Низкие потери при переключении благодаря современной технологии Trenchstop IGBT3. • Высокая плотность мощности, что позволяет использовать меньшее количество модулей для тех же задач. 2. Надежность: • Высокая устойчивость к напряжению (до 1.2 кВ) и току (до 600 А). • Низкий ток утечки затвор-эмиттер, что уменьшает потери и повышает эффективность. 3. Простота интеграции: • Удобный монтаж на шасси. • Совместимость с различными схемами управления благодаря стандартному максимальному напряжению затвор-эмиттер в 20 В. Сферы использования компонента: 1. Промышленная автоматизация: Использование в приводах с переменной частотой для управления электродвигателями. 2. Возобновляемая энергетика: Инверторы для солнечных панелей и ветровых турбин. 3. Электротранспорт: Приводы для электромобилей и гибридных транспортных средств. 4. Силовая электроника: Преобразователи энергии и источники бесперебойного питания (ИБП). Модули IGBT от Infineon обеспечивают высокий уровень производительности и надежности, что делает их отличным выбором для различных высокомощных приложений.
Вес 1,134
Цена 5,933,752.00